RFUH10TF6S
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RFUH10TF6S |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1000+ | $0.846 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.8 V @ 10 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220NFM |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 25 ns |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-2 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Through Hole |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 10A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | RFUH10 |
RFUH10TF6S Einzelheiten PDF [English] | RFUH10TF6S PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 430V 10A LPDS
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DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
2024/04/13
2024/03/19
2024/11/15
2024/09/23
RFUH10TF6SRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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